在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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S25FL032P0XMFB003 | INFINEON/英飞凌 | 0 | 1 | 中国内地:4-5周 中国香港:3-4周 |
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S25FL032P0XMFB003 | CYPRESS/赛普拉斯 | Nor | 0 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 16-SOIC |
存储容量 | 32Mb (4M x 8) |
存储器类型 | 非易失 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
写周期时间 - 字,页 | 5µs,3ms |
存储器接口 | SPI - 四 I/O |
工作温度 | -40°C ~ 105°C(TA) |
电压 - 电源 | 2.7V ~ 3.6V |
系列 | 汽车级,AEC-Q100,FL-P |
技术 | FLASH - NOR |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
时钟频率 | 104MHz |
存储器格式 | 闪存 |
封装 | SOIC-16 |
安装风格 | SMD/SMT |
系列 | S25FL032P |
资格 | AEC-Q100 |
包装 | Reel |
Part Life Cycle Code | Transferred |
Memory Density | 33.5544Mbit |
Memory Width | 1 |
Organization | 32MX1 |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3V |
Clock Frequency-Max (fCLK) | 104MHz |
Memory IC Type | FLASH |
Number of Functions | 1 |
Number of Words Code | 32000000 |
Number of Words | 33.5544M |
Operating Mode | SYNCHRONOUS |
Parallel/Serial | SERIAL |
Programming Voltage | 3V |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7V |
Technology | CMOS |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
JESD-30 Code | R-PDSO-G16 |
Operating Temperature-Max | 105°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
Screening Level | AEC-Q100 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
Number of Terminals | 16 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | SOP |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALLOUTLINE |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 1.27mm |
Terminal Position | DUAL |
Seated Height-Max | 2.65mm |
Length | 10.3mm |
Width | 7.5mm |
Ihs Manufacturer | CYPRESSSEMICONDUCTORCORP |
Package Description | SOP-16 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | 3A991.B.2.A |
HTS Code | 8542.32.00.51 |
Samacsys Manufacturer | CypressSemiconductor |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
1843606 | PHOENIX | 731 | 1.928640 |
1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 158.157900 |
FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
J42FSC-02V-KX | JST | 12 | 3.616200 |
CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |