在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S25FL512SDSMFV010 | SPANSION/飞索半导体 | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| S25FL512SDSMFV010 | CYPRESS/赛普拉斯 | Nor | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | SOIC-16 |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 定时类型 | Synchronous |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大时钟频率 | 80 MHz |
| 系列 | S25FL512S |
| 接口类型 | SPI |
| 电源电压-最小 | 2.7 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 64 M x 8 |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 存储容量 | 512 Mbit |
| 最大工作温度 | + 105 C |
| 包装 | Tray |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Memory Density | 512.7537Mbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 64MX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 80MHz |
| Memory IC Type | FLASH |
| Alternate Memory Width | 1 |
| Boot Block | BOTTOM/TOP |
| Data Retention Time-Min | 20 |
| Endurance | 100000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 64000000 |
| Number of Words | 64.0942M |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | 3-STATE |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Programming Voltage | 3V |
| Serial Bus Type | SPI |
| Standby Current-Max | 300µA |
| Supply Current-Max | 100µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Type | NORTYPE |
| Write Protection | HARDWARE/SOFTWARE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G16 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 105°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 16 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP16,.4 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 2.65mm |
| Length | 10.3mm |
| Width | 7.5mm |
| Ihs Manufacturer | CYPRESSSEMICONDUCTORCORP |
| Package Description | SOP,SOP16,.4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | 3A991.B.1.A |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Samacsys Manufacturer | CypressSemiconductor |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 512.7537Mbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 64MX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 80MHz |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 备用内存宽度 | 1 |
| 启动块 | BOTTOM/TOP |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 100000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 64000000 |
| 字数 | 64.0942M |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 编程电压 | 3V |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 300µA |
| 最大压摆率 | 100µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 类型 | NORTYPE |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 105°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP16,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 2.65mm |
| 长度 | 10.3mm |
| 宽度 | 7.5mm |
| 包装说明 | SOP,SOP16,.4 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 731 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 158.157900 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| J42FSC-02V-KX | JST | 12 | 3.616200 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
