在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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TPD2S300YFFR | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | ESD保护二极管/TVS二极管 USB Type-C™ short-to-VBUS & IEC ESD protector for CC 9-DSBGA -40 to 85 | 19493 | 3000 | 中国内地:3-5工作日 |
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TPD2S300YFFR | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | ESD保护二极管/TVS二极管 USB Type-C™ short-to-VBUS & IEC ESD protector for CC 9-DSBGA -40 to 85 | 3000 | 3000 盘 | 中国内地:1-2工作日 |
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TPD2S300YFFR | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | ESD保护二极管/TVS二极管 USB Type-C™ short-to-VBUS & IEC ESD protector for CC 9-DSBGA -40 to 85 | 40 | 3000 | 中国内地:6-12工作日 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | DO-9 |
速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
封装/外壳 | DO-205AB,DO-9,接线柱 |
工作温度 - 结 | -60°C ~ 180°C |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) | 1600V |
不同 If 时的电压 - 正向(Vf | 1.2V @ 300A |
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 10µA @ 1600V |
在线目录 | Standard Diode |
安装类型 | 底座,接线柱安装 |
包装 | 散装 |
电流 - 平均整流(Io) | 300A |
二极管类型 | 标准 |
二极管模块配置 | 单路 |
二极管安装 | 螺柱 |
反向重复峰值电压 | 1.6kV |
平均正向电流 | 300A |
最大正向电压 | 1.2V |
二极管封装类型 | DO-9 |
针脚数 | 2Pins |
工作温度最高值 | 200°C |
产品范围 | S300Y |
正向浪涌电流 | 6.85kA |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
43650-0510 | MOLEX | 2006 | 15.365133 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |