在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S34MS01G200GHI000Z | CYPRESS/赛普拉斯 | 1 Gb, 1-bit ECC, 1.8V SLC NAND Flash | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| S34MS01G200GHI000 | SPANSION/飞索半导体 | Flash, 128MX8, PBGA67 | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 67-BGA（8x6.5） |
| 存储容量 | 1Gb（128M x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 67-VFBGA |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | Digi-Key 停产 |
| 写周期时间 - 字，页 | 45ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 45ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.7V ~ 1.95V |
| 系列 | MS-2 |
| 技术 | 闪存 - NAND |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 封装 | BGA-67 |
| 电源电压-最大 | 1.95 V |
| 定时类型 | Asynchronous |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | S34MS01G2 |
| 接口类型 | Parallel |
| 电源电压-最小 | 1.7 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 128 M x 8 |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 电源电流—最大 | 20 mA |
| 存储容量 | 1 Gbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Tray |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2006 | 15.365133 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
