在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S4X8TS2RP | LITTELFUSE/力特 | Sen 400V .8A 50uA | 46 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电流 - 通态（It（AV））（最大值） | 510mA |
| 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值） | 800mV |
| 电压 - 通态（Vtm）（最大值） | 1.7V |
| 电流 - 断态（最大值） | 3µA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 电流 - 通态（It（RMS））（最大值） | 800mA |
| 电压 - 断态 | 400V |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 电流 - 保持（Ih）（最大值） | 5mA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值） | 50µA |
| 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm） | 8A，10A |
| SCR 类型 | 灵敏栅极 |
| 关闭状态漏泄电流（在 | 3 uA |
| 封装 | SOT-223 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 栅极触发电流-Igt | 50 uA |
| 系列 | SxX8xSx |
| 额定重复关闭状态电压 VDRM | 400 V |
| 栅极触发电压-Vgt | 800 mV |
| 保持电流IH最大值 | 5 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 开启状态RMS电流 - It RMS | 800 mA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| Vf - 正向电压 | 1.7 V |
| 包装 | Cut Tape, Reel |
| Part Life Cycle Code | Active |
| On-state Current-Max | 800A |
| Leakage Current-Max | 500µA |
| Holding Current-Max | 5mA |
| DC Gate Trigger Current-Max | 50µA |
| Repetitive Peak Off-state Voltage | 600V |
| RMS On-state Current-Max | 800mA |
| Trigger Device Type | SCR |
| Configuration | SINGLE |
| Additional Feature | HIGHRELIABILITY |
| Critical Rate of Rise of Off-State Voltage-Min | 75V/us |
| DC Gate Trigger Voltage-Max | 800mV |
| Non-Repetitive Pk On-state Cur | 10A |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 600V |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G4 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
| Case Connection | ANODE |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 4 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Position | DUAL |
| Ihs Manufacturer | LITTELFUSEINC |
| Package Description | SMALLOUTLINE,R-PDSO-G4 |
| ECCN Code | EAR99 |
| Pin Count | 4 |
| HTS Code | 8541.30.00.80 |
| Samacsys Manufacturer | LITTELFUSE |
| 生命周期 | Active |
| 最大通态电流 | 800A |
| 最大漏电流 | 500µA |
| 最大维持电流 | 5mA |
| 最大直流栅极触发电流 | 50µA |
| 断态重复峰值电压 | 600V |
| 最大均方根通态电流 | 800mA |
| 触发设备类型 | SCR |
| 配置 | SINGLE |
| 其他特性 | HIGHRELIABILITY |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 75V/us |
| 最大直流栅极触发电压 | 800mV |
| 通态非重复峰值电流 | 10A |
| 重复峰值反向电压 | 600V |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 外壳连接 | ANODE |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子位置 | DUAL |
| 包装说明 | SMALLOUTLINE,R-PDSO-G4 |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.30.00.80 |
| 针数 | 4 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2006 | 15.365133 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
