在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 高度 - 安装(最大值) | 0.122"(3.10mm) |
| 封装/外壳 | 2917(7343 公制) |
| 类型 | 模制 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
| 零件状态 | 停產 |
| 电容 | 150µF |
| 电压 - 额定 | 6.3V |
| 工作温度 | -55°C ~ 105°C |
| 容差 | ±20% |
| 大小/尺寸 | 0.287" 长 x 0.169" 宽(7.30mm x 4.30mm) |
| 特性 | 通用 |
| 系列 | KO-CAP® T520 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷(TR) |
| ESR(等效串联电阻) | 55 毫欧 @ 100kHz |
| 不同温度时的使用寿命 | 105°C 时为 2000 小时 |
| 制造商尺寸代码 | D |
| 包装 | 剪切带(CT) |
| 包装 | Digi-Reel® |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.086774 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 6317 | 1.534000 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.772999 |
| S1M-E3/61T | VISHAY | 1782 | 0.269500 |
| 43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.691442 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| TLE4250-2G | INFINEON | 636 | 3.134040 |
| VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
| CDNBS08-SLVU2.8-4 | BOURNS | 100 | 10.701600 |
| SZ1SMB24AT3G | LITTELFUSE | 7 | 2.410800 |