在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 生命周期 | Obsolete |
| 封装代码 | SDIP |
| 电源 | 3.3,9V |
| 商用集成电路类型 | CONSUMERCIRCUIT |
| 技术 | BIPOLAR |
| 其他特性 | ALSOREQUIRES2.7VTO3.8VPOWERSUPPLY |
| 最大压摆率 | 76.8mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 9.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 8.5V |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T56 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 65°C |
| 最低工作温度 | -20°C |
| 端子数量 | 56 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | SDIP56,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE,SHRINKPITCH |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.778mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 15.24mm |
| 长度 | 50.4mm |
| 座面最大高度 | 4.5mm |
| 包装说明 | SDIP,SDIP56,.6 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 针数 | 56 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| CJ78L05 | 长电/长晶(JCET) | 502793 | 0.357890 |
| TL494G-S16-R | UTC | 41942 | 0.599010 |
| CJ78L12 | 长电/长晶(JCET) | 29186 | 0.365690 |
| TBD62003AFWG(Z,EHZ | TOSHIBA | 17055 | 2.058101 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 16027 | 0.298890 |
| TPD2007F(EL,F) | TOSHIBA | 12300 | 10.262750 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2933 | 0.747500 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2326 | 0.417040 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1268 | 0.641810 |
| L78L05ABD13TR | ST | 810 | 0.340710 |