在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 (Vsup) | 12V |
| 表面贴装 | NO |
| 电源 | 12,18V |
| 最大输出电流 | 1.2A |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | BRUSHDCMOTORCONTROLLER |
| 技术 | BIPOLAR |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电流 (Isup) | 13mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 20V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 温度等级 | COMMERCIALEXTENDED |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T9 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 75°C |
| 最低工作温度 | -30°C |
| 端子数量 | 9 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SIP |
| 封装等效代码 | SIP9,.1 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| 长度 | 22.28mm |
| 座面最大高度 | 7.9mm |
| 宽度 | 3.2mm |
| 包装说明 | SIP,SIP9,.1 |
| 零件包装代码 | SIP |
| 针数 | 9 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.078677 |
| BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 27.315200 |
| ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
| IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.434337 |
| ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 850 | 48.369692 |
| IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
| IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
| ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 447 | 11.763269 |
| IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
| IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.226368 |
