在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Package Code | SIP |
| Number of Bands | 1 |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 6V |
| Consumer IC Type | AUDIOTUNER |
| Technology | BIPOLAR |
| Built-in IF Amplifier | NO |
| Input Frequency-Max (RF) | 108MHz |
| Input Frequency-Min (RF) | 76MHz |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Current-Max | 8mA |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.6V |
| Temperature Grade | COMMERCIALEXTENDED |
| JESD-30 Code | R-PSIP-T9 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Operating Temperature-Max | 75°C |
| Operating Temperature-Min | -25°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 9 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | SINGLE |
| Width | 3.2mm |
| Length | 22.28mm |
| Seated Height-Max | 7.9mm |
| Ihs Manufacturer | TOSHIBACORP |
| Part Package Code | SIP |
| Package Description | SIP, |
| Pin Count | 9 |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Source Content uid | TA7358P |
| Samacsys Manufacturer | Toshiba |
| 生命周期 | Obsolete |
| 封装代码 | SIP |
| 频带数量 | 1 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6V |
| 技术 | BIPOLAR |
| 内置中频放大器 | NO |
| 最大输入频率（射频） | 108MHz |
| 最小输入频率（射频） | 76MHz |
| 功能数量 | 1 |
| 最大压摆率 | 8mA |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.6V |
| 温度等级 | COMMERCIALEXTENDED |
| 商用集成电路类型 | AUDIOTUNER |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T9 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 75°C |
| 最低工作温度 | -25°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 9 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| 宽度 | 3.2mm |
| 长度 | 22.28mm |
| 座面最大高度 | 7.9mm |
| 零件包装代码 | SIP |
| 包装说明 | SIP, |
| 针数 | 9 |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74LVC1G3157GV,125 | NEXPERIA | 1812 | 0.624750 |
| 74HCT4051PW,118 | NEXPERIA | 549 | 1.398250 |
| MCP4716A0T-E/CH | MICROCHIP | 93 | 5.785920 |
| MAX5402EUA+T | MAXIM | 45 | 29.035440 |
| ISL54405IRUZ-T | RENESAS | 45 | 11.617760 |
| STMPS2141STR | STMICROELECTRONICS | 39 | 8.725920 |
| MCP4822-E/SN | MICROCHIP | 20 | 34.073520 |
| 74HC4053BQ,115 | NEXPERIA | 19 | 1.129509 |
| MCP4725A0T-E/CH | MICROCHIP | 1 | 8.643600 |
| MAX5137GUE+ | MAXIM | 1 | 32.692800 |
