在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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TAS5001PFBR | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | Verical,86042399 | 21000 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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TAS5001PFBRG4 | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | 10000 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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TAS5001PFB | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | Verical,86043110 | 9200 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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规格参数 | |
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在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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FAN3852UC16X | 安森美(ONSEMI) | 8900 | 2.680048 |
PCM1742E | BURR BROWN | 2593 | 21.006930 |
IR4322MTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | 1500 | 29.325195 |
IRS2093MTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | 1500 | 51.202560 |
TDA7303 | STMICROELECTRONICS | 91 | 23.930010 |
MAX9788EBP+ | MAXIM INTEGRATED | 50 | 14.791700 |
NCS2632DTBR2G | ON SEMICONDUCTOR | 30 | 3.416202 |
AS3412-EWLT | 艾迈斯欧司朗 | 30 | 27.000000 |
MAX9702ETI+ | MAXIM INTEGRATED | 14 | 50.030750 |
ST2213 | 盛微 | 6 | 162.000000 |