在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TAS5162DDV6EVM2 | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | 8 | 1012 | 中国内地:11-17工作日 |
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| TAS5162DDV | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | 音频放大器 2x210W St Dig Pwr A 595-TAS5162DDVR | 0 | 3000 | 中国内地:8-12工作日 |
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| TAS5162DDVR | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | 0 | 3000 | 中国内地:8-12工作日 |
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| 规格参数 | |
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| 规格参数正在更新中... |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| LM358G-S08-R | UTC | 40544 | 0.218940 |
| MC34072G-S08-R | UTC | 33333 | 0.499380 |
| LM2903DT | ST | 30000 | 0.253000 |
| NS4110B | NSIWAY/纳芯威 | 18000 | 1.044000 |
| LM321G-AE5-R | UTC | 16291 | 0.264450 |
| MC34118G-S28-R | UTC | 14833 | 2.381240 |
| TDA2822G-S08-R | UTC | 12753 | 0.469860 |
| LM1875L-TB5-T | UTC | 5000 | 2.145000 |
| LM339DT | ST | 727 | 0.418200 |
| MAX4080SASA+T | MAXIM INTEGRATED | 55 | 6.505730 |