在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TAV-581+ | MINI-CIRCUITS | 10 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Surface Mount | YES |
| Configuration | SINGLE |
| Number of Terminals | 4 |
| DS Breakdown Voltage-Min | 5V |
| Highest Frequency Band | CBAND |
| Number of Elements | 1 |
| Power Gain-Min (Gp) | 15dB |
| FET Technology | HIGHELECTRONMOBILITY |
| Operating Mode | ENHANCEMENTMODE |
| Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON |
| JESD-30 Code | R-XXMW-X4 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Case Connection | SOURCE |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | MICROWAVE |
| Terminal Form | UNSPECIFIED |
| Terminal Position | UNSPECIFIED |
| Ihs Manufacturer | MINI-CIRCUITS |
| Pin Count | 4 |
| ECCN Code | EAR99 |
| Manufacturer Package Code | CASEFG873 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| HCTF12001 | AMPHENOL | 5718 | 1.470000 |
| AC-CP000382 | AMPHENOL | 3056 | 0.232044 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 194 | 1.369625 |
| TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
| SIM-43MH+ | MINI-CIRCUITS | 12 | 80.212608 |
| SIM-43LH+ | MINI-CIRCUITS | 10 | 75.278896 |
| SYM-2500+ | MINI-CIRCUITS | 10 | 136.611216 |
| SYM-20DHW+ | MINI-CIRCUITS | 4 | 158.351928 |
| KAT-9+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 75.176584 |
| SCN-3-16+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 38.561040 |