在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TB6674PG(C,8,Z,HZ) | TOSHIBA/东芝 | 0 | 0 | 中国内地：5-9工作日 |
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| TB6674PG(C,8,Z,HZW | TOSHIBA/东芝 | 0 | 1000 | 中国内地：1-2工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| TB6674PG,C,8 | TOSHIBA/东芝 | 0 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Surface Mount | NO |
| Power Supplies | 5,12V |
| Output Current-Max | 400mA |
| Analog IC - Other Type | STEPPERMOTORCONTROLLER |
| Technology | BCDMOS |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Current-Max (Isup) | 5mA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Temperature Grade | COMMERCIALEXTENDED |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T16 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Operating Temperature-Max | 75°C |
| Operating Temperature-Min | -30°C |
| Number of Terminals | 16 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP16,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 19.25mm |
| Seated Height-Max | 4.45mm |
| Width | 7.62mm |
| Source Content uid | TB6674PG |
| Ihs Manufacturer | TOSHIBACORP |
| Part Package Code | DIP |
| Package Description | DIP,DIP16,.3 |
| Pin Count | 16 |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | Toshiba |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 表面贴装 | NO |
| 电源 | 5,12V |
| 最大输出电流 | 400mA |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | STEPPERMOTORCONTROLLER |
| 技术 | BCDMOS |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电流 (Isup) | 5mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 温度等级 | COMMERCIALEXTENDED |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 75°C |
| 最低工作温度 | -30°C |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 19.25mm |
| 座面最大高度 | 4.45mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP,DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 27151 | 0.335790 |
| TL494G-S16-R | UTC | 26044 | 0.666120 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5569 | 1.732759 |
| AP2171WG-7 | DIODES INCORPORATED | 5519 | 0.612500 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 2754 | 0.543500 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 829 | 0.471625 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 396 | 0.588000 |
| ICL7662CBA+T | MAXIM | 156 | 7.573440 |
| ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |
