在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TC1262-2.8VDBTR | MICROCHIP/微芯 | 低压差稳压器 500mA Fixed Out Adj | 0 | 4000 | 中国内地:11-22工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 稳压器数 | 1 |
| 电流 - 输出 | 500mA |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 电压 - 输出(最小值/固定) | 2.8V |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| 零件状态 | 有源 |
| PSRR | 64dB(1kHz) |
| 压降(最大值) | 0.65V @ 500mA |
| 保护功能 | 过流,超温 |
| 基本零件编号 | TC126 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 输出配置 | 正 |
| 输出类型 | 固定 |
| 电流 - 静态(Iq) | 130µA |
| 电压 - 输入(最大值) | 6V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷(TR) |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 27151 | 0.335790 |
| TL494G-S16-R | UTC | 26044 | 0.666120 |
| AP2171WG-7 | DIODES INCORPORATED | 5519 | 0.612500 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 2754 | 0.543500 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 829 | 0.471625 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 396 | 0.588000 |
| ICL7662CBA+T | MAXIM | 156 | 7.573440 |
| ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |
| ITS41K0SMENHUMA1 | INFINEON | 13 | 5.665380 |