在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TC1302A-IAVMFTR | MICROCHIP/微芯 | 低压差稳压器 Dual CMOS LDO | 3300 | 3300 | 中国内地：11-17工作日 |
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| TC1302A-IAVMF | MICROCHIP/微芯 | 低压差稳压器 Dual CMOS LDO | 0 | 1000 | 中国内地：8-12工作日 |
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| TC1302A-IAVMFTR_R | MICROCHIP/微芯 | 0 | 3300 | 中国内地：11-17工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 稳压器数 | 2 |
| 电流 - 输出 | 300mA，150mA |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP（3x3） |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 电压 - 输出（最小值/固定） | 2.5V，3.3V |
| 控制特性 | 使能 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| PSRR | 58dB（100Hz） |
| 压降（最大值） | -，0.25V @ 150mA |
| 保护功能 | 过流，超温 |
| 基本零件编号 | TC1302A |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 输出配置 | 正 |
| 输出类型 | 固定 |
| 电流 - 静态（Iq) | 180µA |
| 电压 - 输入（最大值） | 6V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Input Voltage-Max | 6V |
| Input Voltage-Min | 4.3V |
| Output Voltage1-Nom | 2.5V |
| Output Current1-Max | 300mA |
| Output Voltage2-Nom | 3.3V |
| Dropout Voltage2-Max | 250mV |
| Output Current2-Max | 150mA |
| Number of Outputs | 2 |
| Surface Mount | YES |
| Adjustability | FIXED |
| Load Regulation-Max | 0.033% |
| Number of Functions | 1 |
| Output Voltage1-Max | 2.5625V |
| Output Voltage1-Min | 2.4375V |
| Output Voltage2-Max | 3.3825V |
| Output Voltage2-Min | 3.2175V |
| Technology | CMOS |
| JESD-30 Code | S-PDSO-N8 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Operating Temperature TJ-Max | 125°C |
| Operating Temperature TJ-Min | -40°C |
| Screening Level | TS16949 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | HVSON |
| Package Equivalence Code | SOLCC8,.12,25 |
| Package Shape | SQUARE |
| Packing Method | TUBE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 650µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Width | 3mm |
| Length | 3mm |
| Seated Height-Max | 1mm |
| Source Content uid | TC1302A-IAVMF |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Active |
| 最大输入电压 | 6V |
| 最小输入电压 | 4.3V |
| 标称输出电压 1 | 2.5V |
| 最大输出电流 1 | 300mA |
| 标称输出电压 2 | 3.3V |
| 最大回动电压 2 | 250mV |
| 最大输出电流 2 | 150mA |
| 输出次数 | 2 |
| 表面贴装 | YES |
| 可调性 | FIXED |
| 最大负载调整率 | 0.033% |
| 功能数量 | 1 |
| 最大输出电压 1 | 2.5625V |
| 最小输出电压 1 | 2.4375V |
| 最大输出电压 2 | 3.3825V |
| 最小输出电压 2 | 3.2175V |
| 技术 | CMOS |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 工作温度TJ-Max | 125°C |
| 工作温度TJ-Min | -40°C |
| 筛选级别 | TS16949 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.12,25 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 包装方法 | TUBE |
| 端子面层 | MatteTin(Sn)-annealed |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 650µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 3mm |
| 长度 | 3mm |
| 座面最大高度 | 1mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| TL494G-S16-R | UTC | 41942 | 0.599010 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 16027 | 0.298890 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5554 | 0.543500 |
| AP2171WG-7 | DIODES INCORPORATED | 5519 | 0.612500 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2322 | 0.631800 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 829 | 0.471625 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 396 | 0.400625 |
| IMC101TT038XUMA1 | INFINEON | 25 | 16.464000 |
| ITS41K0SMENHUMA1 | INFINEON | 13 | 5.665380 |
