在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TC35680FSG-002 | TOSHIBA/东芝 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | QFN-40 |
| 频率范围 | 2400 MHz to 2483.5 MHz |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 1.9 V |
| 最大数据速率 | 2000 kb/s |
| 输出功率 | 8 dBm |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| HCTF12001 | AMPHENOL | 5718 | 1.470000 |
| AC-CP000382 | AMPHENOL | 3056 | 0.232044 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 194 | 1.369625 |
| KC2-19+ | MINI-CIRCUITS | 71 | 52.814160 |
| EP2W1+ | MINI-CIRCUITS | 13 | 217.742280 |
| TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
| KC2-36+ | MINI-CIRCUITS | 6 | 71.777552 |
| KAT-9+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 75.176584 |
| RCAT-10+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 75.256160 |
| SCN-3-16+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 38.561040 |