在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TC358778XBG(EL | TOSHIBA/东芝 | 0 | 3000 | 中国内地：4-7工作日 中国香港：6-10工作日 |
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| TC358778XBG(EL) | TOSHIBA/东芝 | 0 | 1000 | 中国内地：2-5工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | VFBGA-80 |
| 工作电源电压 | 1.2 V, 1.8 V, 3.3 V |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 30 C |
| 生命周期 | Active |
| 封装代码 | VFBGA |
| 商用集成电路类型 | CONSUMERCIRCUIT |
| 技术 | CMOS |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.3V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.1V |
| 温度等级 | OTHER |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B80 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -30°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 80 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 650µm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 7mm |
| 长度 | 7mm |
| 座面最大高度 | 1mm |
| 包装说明 | VFBGA, |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 836 | 0.879942 |
| MAX3232EUE+T | MAXIM | 111 | 14.112000 |
| MAX14783EESA+ | MAXIM | 96 | 5.171166 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| MAX202EESE+T | MAXIM | 24 | 5.930568 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| FT245RL-REEL | FTDI | 10 | 47.628000 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 8 | 10.976000 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| CY7B933-JXC | CYPRESS | 2 | 491.568000 |
