在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TC4052BP(N) | TOSHIBA/东芝 | Verical,87134579 | 0 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 表面贴装 | NO |
| 最大通态电阻 (Ron) | 1.2kΩ |
| 通态电阻匹配规范 | 10Ω |
| 电源 | 5/15V |
| 最长接通时间 | 380ns |
| 最长断开时间 | 450ns |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | DIFFERENTIALMULTIPLEXER |
| 技术 | CMOS |
| 信道数量 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 标称断态隔离度 | 50dB |
| 最大供电电流 (Isup) | 600µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3V |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 19.25mm |
| 座面最大高度 | 4.45mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP,DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.086774 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 6317 | 1.534000 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.772999 |
| XLP-16V | JST | 2600 | 1.687560 |
| S1M-E3/61T | VISHAY | 1782 | 0.269500 |
| 43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.691442 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| TLE4250-2G | INFINEON | 636 | 3.134040 |
| VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
| CDNBS08-SLVU2.8-4 | BOURNS | 100 | 10.701600 |