在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
        
        | 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 | 
|---|---|---|---|---|---|---|
| V23826-K305-C313 | INFINEON/英飞凌 | Multimode Fibre Channel 1.3 Gigabit Ethernet 1X9 Transceiver | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日  中国香港:7-14工作日  | 
                         查看价格 | 
| 规格参数 | |
|---|---|
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | 
| 零件状态 | 停產 | 
| 电压 - 电源 | 3.1V ~ 3.5V | 
| 连接器类型 | SC | 
| 波长 | 850nm | 
| 应用 | 以太网 | 
| 数据速率 | 1.3Gbps | 
| 安装类型 | 通孔 | 
| Part Life Cycle Code | Obsolete | 
| Operating Wavelength-Nom | 850nm | 
| Operating Wavelength-Min | 830nm | 
| Operating Wavelength-Max | 860nm | 
| Return Loss-Min | 12dB | 
| Sensitivity | -20dBm | 
| Supply Voltage-Nom | 3.3V | 
| Emitter/Detector Type | LASER | 
| Fiber Optic Device Type | TRANSCEIVER | 
| Built-in Feature | AMPLIFIER | 
| Communication Standard | GBE | 
| Data Rate (Rx) | 1.3Gbps | 
| Data Rate (Tx) | 1.3Gbps | 
| Fiber Type | 50,62.5,MMF | 
| Optical Power Output-Nom | 211µW | 
| Supply Voltage-Max | 3.5V | 
| Supply Voltage-Min | 3.1V | 
| Operating Temperature-Max | 70°C | 
| Connection Type | SCCONNECTOR | 
| Mounting Feature | THROUGHHOLEMOUNT | 
| Surface Mount | NO | 
| Body Height | 9.79mm | 
| Body Length or Diameter | 38.6mm | 
| Body Breadth | 25.25mm | 
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG | 
| Source Content uid | V23826-K305-C313 | 
| 最小工作波长 | 830nm | 
| 最大工作波长 | 860nm | 
| 最小回损 | 12dB | 
| 灵敏度 | -20dBm | 
| 标称供电电压 | 3.3V | 
| 发射极/检测器类型 | LASER | 
| 内置特性 | AMPLIFIER | 
| 通信标准 | GBE | 
| 数据速率(接收) | 1.3Gbps | 
| 数据速率(发送) | 1.3Gbps | 
| 光纤类型 | 50,62.5,MMF | 
| 标称光功率输出 | 211µW | 
| 最大供电电压 | 3.5V | 
| 最小供电电压 | 3.1V | 
| 光纤设备类型 | TRANSCEIVER | 
| 最高工作温度 | 70°C | 
| 连接类型 | SCCONNECTOR | 
| 安装特点 | THROUGHHOLEMOUNT | 
| 表面贴装 | NO | 
| 主体高度 | 9.79mm | 
| 主体长度或直径 | 38.6mm | 
| 主体宽度 | 25.25mm | 
| 交付时间 | [objectObject] | 
                            在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 | 
|---|---|---|---|
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 | 
| ISL83483IBZ | RENESAS | 129 | 9.384480 | 
| MAX3232EUE+T | MAXIM | 111 | 14.112000 | 
| MAX202EESE+T | MAXIM | 24 | 5.930568 | 
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 8 | 10.976000 | 
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 | 
| MCP2515-I/ST | MICROCHIP | 4 | 49.529160 | 
| ST3232EBTR | STMICROELECTRONICS | 3 | 5.378544 | 
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 | 
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |