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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
VN2106N3-G MICROCHIP/微芯 60V 4Ohm 3625 1 袋
中国香港:12-15工作日
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VN2106N3-G MICROCHIP/微芯 60V 4Ohm 945 5 中国内地:14-17工作日
中国香港:12-15工作日
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规格参数
安装方式 Through Hole
Operating Temp Range -55°C to +150°C
Technology DMOS
封装类型 TO-92
No of Channels 1
Input Capacitance 35pF
Rise Time 5ns
Turn-on Delay Time 3ns
Turn-off Delay Time 6ns
Fall Time 5ns
Drain-Source On Resistance-Max
Gate Source Threshold 2.4V
Rated Power Dissipation 1W
Drain-to-Source Voltage [Vdss] 60V
Drain Current 0.3A
Fet Type N-Ch
Gate-Source Voltage-Max [Vgss] 20V
功率耗散(最大值) 1W(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 1mA
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
零件状态 有源
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
Vgs(最大值) ±20V
漏源电压(Vdss) 60V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
在线目录 N-Channel MOSFET (Metal Oxide)
FET 类型 N 通道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tj)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 500mA,10V
安装类型 通孔
包装 散装
封装 TO-92-3
安装风格 Through Hole
Vds-漏源极击穿电压 60 V
连续漏极电流Id 300 mA
Pd-功率耗散 1 W
通道模式 Enhancement
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
Vgs - 栅极-源极电压 20 V
漏源导通电阻 4 Ohms
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
包装 Bulk
极性/信道类型 N-CHANNEL
表面贴装 NO
配置 SINGLEWITHBUILT-INDIODE
端子数量 3
最小漏源击穿电压 60V
元件数量 1
最大漏极电流 (ID) 300mA
最大漏源导通电阻
最大反馈电容 (Crss) 5pF
FET 技术 METAL-OXIDESEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENTMODE
最大功率耗散 (Abs) 1W
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
JEDEC-95代码 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e3
认证状态 NotQualified
最高工作温度 150°C
最低工作温度 -55°C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
端子面层 MATTETIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM
包装说明 GREENPACKAGE-3
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
交付时间 [objectObject]
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