在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VND5E025MKTR-E | ST/意法 | DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE | 0 | 1000 | 中国内地：9-14工作日 中国香港：8-12工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -55°C to +150°C |
| 封装类型 | POWERSSO-24 |
| No of Elements | Dual |
| Type | Relay Driver |
| Configuration | High Side |
| On-state Resistance-Max | 50mΩ |
| Turn-on Delay Time | 20µs |
| Turn-off Delay Time | 40µs |
| Rated Current-Max | 85A |
| Clamping Voltage-Max | 52V |
| Input Voltage | 4.5V to 28V |
| Current - Limit | 85A |
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 不需要 |
| 电流 - 输出（最大值） | 43A |
| 比率 - 输入:输出 | 1：1 |
| 供应商器件封装 | PowerSSO-24 |
| 接口 | 开/关 |
| 封装/外壳 | 24-BSOP（0.295"，7.50mm 宽）裸露焊盘 |
| 故障保护 | 限流（固定），超温，过压 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | VND5E025 |
| 开关类型 | 通用 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 输出配置 | 高端 |
| 导通电阻（典型值） | 25 毫欧（最大） |
| 输出类型 | N 通道 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 特性 | 带有自动重启功能 |
| 系列 | VIPower™ |
| 在线目录 | General Purpose |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 电压 - 负载 | 4.5V ~ 28V |
| 输出数 | 2 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 13V |
| 驱动器位数 | 2 |
| 断开时间 | 40µs |
| 接通时间 | 20µs |
| 技术 | CMOS |
| 功能数量 | 1 |
| 输出电流流向 | SOURCE |
| 最大输出电流 | 10A |
| 电源 | 8/28V |
| 最大供电电压 | 28V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G24 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 24 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SSOP |
| 封装等效代码 | SOP24,.4,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE,SHRINKPITCH |
| 端子面层 | MatteTin(Sn)-annealed |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 800µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 10.3mm |
| 座面最大高度 | 2.47mm |
| 宽度 | 7.5mm |
| 零件包装代码 | SSOP |
| 包装说明 | SSOP,SOP24,.4,32 |
| 针数 | 24 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| 1843606 | PHOENIX | 256 | 1.928640 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
