在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VNH5050A*-E | ST/意法 | 0 | 15000 | 中国内地：8-10工作日 |
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| VNH5050A**-E | ST/意法 | 0 | 0 | 中国内地：7-12工作日 中国香港：6-10工作日 |
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| VNH5050A-E | ST/意法 | VNH5050A E | 0 | 1000 | 中国内地：10-16工作日 中国香港：8-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装类型 | POWERSSO-36 |
| Supply Voltage-Max | 18V |
| No of Outputs | Single |
| Output Current-Max | 30A |
| Load Voltage | 5.5V to 18V |
| 功能 | 驱动器 - 全集成，控制和功率级 |
| 电流 - 输出 | 30A |
| 供应商器件封装 | PowerSSO-36 |
| 接口 | 并联，PWM |
| 封装/外壳 | 36-BFSOP（0.295"，7.50mm 宽）裸露焊盘 |
| 电机类型 - AC，DC | 有刷直流 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | VNH5050 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 输出配置 | 半桥（2） |
| 电压 - 电源 | 5.5V ~ 18V |
| 应用 | 汽车级 |
| 系列 | ECOPACK®，VIPower™ |
| 技术 | 功率 MOSFET |
| 在线目录 | Drivers |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 电压 - 负载 | 5.5V ~ 18V |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.101861 |
| ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 4250 | 10.981201 |
| BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 28.892710 |
| ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
| IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.472641 |
| ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 558 | 37.382660 |
| IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
| IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
| IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
| IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.831168 |
