在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
        
        | 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 | 
|---|---|---|---|---|---|---|
| W25M02GVTCIT | WINBOND/华邦 | 2G-bit Serial NAND flash, 3V | 0 | 480 | 中国内地:14-17工作日  中国香港:12-15工作日  | 
                         查看价格 | 
| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | TFBGA-24 | 
| 类型 | NAND Flash, NOR Flash | 
| 安装风格 | SMD/SMT | 
| 最大时钟频率 | 104 MHz | 
| 系列 | W25M02GV | 
| 最小工作温度 | - 40 C | 
| 存储容量 | 2 Gbit | 
| 最大工作温度 | + 85 C | 
                            在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
                            超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 | 
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5200 | 1.435840 | 
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 | 
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3000 | 0.815100 | 
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 | 
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 | 
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 | 
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.505600 | 
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 500 | 0.954180 | 
| 1843606 | PHOENIX | 250 | 1.928640 | 
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |