在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| W25Q10EWSNIG | WINBOND/华邦 | 0 | 1 盘 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| W25Q10EWSNIG TR | WINBOND/华邦 | spiFlash, 1.8V 1M-bit, 4Kb Uniform Sector | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | SOIC-8 |
| 电源电压-最大 | 1.95 V |
| 定时类型 | Synchronous |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大时钟频率 | 104 MHz |
| 系列 | W25Q10EW |
| 接口类型 | SPI |
| 电源电压-最小 | 1.65 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 128 k x 8 |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | NotRecommended |
| 内存密度 | 1.0486Mbit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 1MX1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8V |
| 电源 | 1.8V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 104MHz |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 100000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 1000000 |
| 字数 | 1.0486M |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 编程电压 | 1.8V |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 7.5µA |
| 最大压摆率 | 8µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 类型 | NORTYPE |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 长度 | 4.85mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Packaging | Tube |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O |
| Clock Frequency | 104 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR |
| Memory Organization | 128K x 8 |
| Memory Size | 1Mbit |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Voltage - Supply | 1.65V ~ 1.95V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Write Cycle Time - Word, Page | 30µs, 800µs |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
