在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| W25Q64JVSSJM | WINBOND/华邦 | 0 | 2000 | 中国内地：4-7工作日 中国香港：3-5工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 67.1089Mbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 8MX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 133MHz |
| Memory IC Type | FLASH |
| Additional Feature | ITALSOOPERATESAT2.7V@104MHZ |
| Alternate Memory Width | 1 |
| Data Retention Time-Min | 20 |
| Endurance | 100000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 8000000 |
| Number of Words | 8.3886M |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | 3-STATE |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Programming Voltage | 3.3V |
| Serial Bus Type | SPI |
| Standby Current-Max | 50µA |
| Supply Current-Max | 25µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 3V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Type | NORTYPE |
| Write Protection | HARDWARE/SOFTWARE |
| JESD-30 Code | S-PDSO-G8 |
| Operating Temperature-Max | 105°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP8,.3 |
| Package Shape | SQUARE |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 2.16mm |
| Length | 5.28mm |
| Width | 5.28mm |
| Ihs Manufacturer | WINBONDELECTRONICSCORP |
| Package Description | SOP, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Date Of Intro | 2018-04-03 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| 1843606 | PHOENIX | 160 | 1.928640 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 33 | 145.505268 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| J42FSC-02V-KX | JST | 7 | 3.616200 |
