在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| W25Q80EWZPIG/TUBE | WINBOND/华邦 | NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 1.8V 8M-bit 1M x 8 6ns 8-Pin WSON EP | 0 | 100 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| W25Q80EWZPIG | WINBOND/华邦 | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-WSON（6x5） |
| 存储容量 | 8Mb （1M x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 800µs |
| 存储器接口 | SPI |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.65V ~ 1.95V |
| 系列 | SpiFlash® |
| 技术 | FLASH - NOR |
| 在线目录 | SpiFlash® |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 时钟频率 | 104MHz |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 封装 | WSON-8 |
| 最大时钟频率 | 104 MHz |
| 接口类型 | SPI |
| 定时类型 | Asynchronous |
| 组织 | 1 M x 8 |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 存储容量 | 8 Mbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最小 | 1.65 V |
| 电源电压-最大 | 1.95 V |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 8.3886Mbit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 8MX1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8V |
| 电源 | 1.8V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 104MHz |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 100000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 8000000 |
| 字数 | 8.3886M |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 编程电压 | 1.8V |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 7.5µA |
| 最大压摆率 | 20µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 类型 | NORTYPE |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 800µm |
| 长度 | 6mm |
| 宽度 | 5mm |
| 包装说明 | WSON-8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
