超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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W29N02GVBIAA | WINBOND/华邦 | 0 | 1564 管 | 中国内地:2-4工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | 63-FBGA(9x11.5) |
存储容量 | 2Gb (256M x 8) |
存储器类型 | 非易失 |
封装/外壳 | 63-VFBGA |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
写周期时间 - 字,页 | 25ns |
存储器接口 | 并联 |
访问时间 | 25ns |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
电压 - 电源 | 2.7V ~ 3.6V |
技术 | FLASH - NAND(SLC) |
在线目录 | Parallel NAND Flash W29N0xGV |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 托盘 |
存储器格式 | 闪存 |
封装 | VFBGA-63 |
接口类型 | Parallel |
组织 | 256 M x 8 |
数据总线宽度 | 8 bit |
存储容量 | 2 Gbit |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
电源电压-最小 | 2.7 V |
电源电压-最大 | 3.6 V |
包装 | Tray |
生命周期 | Active |
内存密度 | 2.1475Gbit |
内存宽度 | 1 |
组织 | 2GX1 |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
内存集成电路类型 | FLASH |
功能数量 | 1 |
字数代码 | 2000000000 |
字数 | 2.1475G |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
并行/串行 | PARALLEL |
编程电压 | 3.3V |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
类型 | SLCNANDTYPE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 63 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
表面贴装 | YES |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 800µm |
端子位置 | BOTTOM |
座面最大高度 | 1mm |
长度 | 11mm |
宽度 | 9mm |
包装说明 | VFBGA-63 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |