在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| W29N08GVSIAA | WINBOND/华邦 | 0 | 30 | 中国内地：4-7工作日 中国香港：3-5工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | TSOP-48 |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | W29N08GV |
| 接口类型 | Parallel |
| 电源电压-最小 | 2.7 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 1 G x 8 |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 电源电流—最大 | 35 mA |
| 存储容量 | 8 Gbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Tray |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 8.5899Gbit |
| Memory Width | 8 |
| Sector Size | 128K |
| Organization | 1GX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3V |
| Memory IC Type | FLASH |
| Alternate Memory Width | 1 |
| Command User Interface | NO |
| Data Polling | NO |
| Data Retention Time-Min | 10 |
| Endurance | 100000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Sectors/Size | 8K |
| Number of Words Code | 1000000000 |
| Number of Words | 1.0737G |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | 3-STATE |
| Page Size | 2Kwords |
| Parallel/Serial | PARALLEL |
| Programming Voltage | 3V |
| Ready/Busy | YES |
| Standby Current-Max | 200µA |
| Supply Current-Max | 350µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Toggle Bit | YES |
| Type | SLCNANDTYPE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G48 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 48 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TSOP1 |
| Package Equivalence Code | tsop48,.787,20 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE,THINPROFILE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.2mm |
| Length | 18.4mm |
| Width | 12mm |
| Ihs Manufacturer | WINBONDELECTRONICSCORP |
| Package Description | TSOP1,tsop48,.787,20 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Samacsys Manufacturer | Winbond |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 8.5899Gbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 部门规模 | 128K |
| 组织 | 1GX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3V |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 备用内存宽度 | 1 |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | NO |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 100000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 8K |
| 字数代码 | 1000000000 |
| 字数 | 1.0737G |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 页面大小 | 2Kwords |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 3V |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 最大待机电流 | 200µA |
| 最大压摆率 | 350µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 切换位 | YES |
| 类型 | SLCNANDTYPE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 48 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装等效代码 | tsop48,.787,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE,THINPROFILE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.2mm |
| 长度 | 18.4mm |
| 宽度 | 12mm |
| 包装说明 | TSOP1,tsop48,.787,20 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| 1843606 | PHOENIX | 160 | 1.928640 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 33 | 145.505268 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| J42FSC-02V-KX | JST | 7 | 3.616200 |
