在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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W632GG6KB-15 | WINBOND/华邦 | 0 | 1 | 中国内地:4-5周 中国香港:3-4周 |
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W632GG6KB-15/TRAY | WINBOND/华邦 | DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin WBGA | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 96-WBGA(9x13) |
存储容量 | 2Gb (128M x 16) |
存储器类型 | 易失 |
封装/外壳 | 96-TFBGA |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | Digi-Key 停产 |
存储器接口 | 并联 |
访问时间 | 20ns |
工作温度 | 0°C ~ 95°C(TC) |
电压 - 电源 | 1.425V ~ 1.575V |
技术 | SDRAM - DDR3 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 托盘 |
时钟频率 | 667MHz |
存储器格式 | DRAM |
Part Life Cycle Code | Obsolete |
Memory Density | 2.1475Gbit |
Memory Width | 16 |
Organization | 128MX16 |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.5V |
Power Supplies | 1.5V |
Access Time-Max | 255ps |
Clock Frequency-Max (fCLK) | 667MHz |
Refresh Cycles | 8192 |
Access Mode | MULTIBANKPAGEBURST |
Memory IC Type | DDR3DRAM |
Additional Feature | AUTO/SELFREFRESH |
I/O Type | COMMON |
Interleaved Burst Length | 8 |
Number of Functions | 1 |
Number of Ports | 1 |
Number of Words Code | 128000000 |
Number of Words | 134.2177M |
Operating Mode | SYNCHRONOUS |
Output Characteristics | 3-STATE |
Self Refresh | YES |
Sequential Burst Length | 8 |
Standby Current-Max | 65mA |
Supply Current-Max | 370µA |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 1.575V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.425V |
Technology | CMOS |
Temperature Grade | OTHER |
JESD-30 Code | R-PBGA-B96 |
Qualification Status | NotQualified |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
Number of Terminals | 96 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TFBGA |
Package Equivalence Code | BGA96,9X16,32 |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | GRIDARRAY,THINPROFILE,FINEPITCH |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | BALL |
Terminal Pitch | 800µm |
Terminal Position | BOTTOM |
Seated Height-Max | 1.2mm |
Length | 13mm |
Width | 9mm |
Ihs Manufacturer | WINBONDELECTRONICSCORP |
Package Description | TFBGA,BGA96,9X16,32 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.32.00.36 |
Part Package Code | BGA |
Pin Count | 96 |
内存密度 | 2.1475Gbit |
内存宽度 | 16 |
组织 | 128MX16 |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5V |
电源 | 1.5V |
最长访问时间 | 255ps |
最大时钟频率 (fCLK) | 667MHz |
刷新周期 | 8192 |
访问模式 | MULTIBANKPAGEBURST |
内存集成电路类型 | DDRDRAM |
其他特性 | AUTO/SELFREFRESH |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
字数代码 | 128000000 |
字数 | 134.2177M |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
输出特性 | 3-STATE |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 8 |
最大待机电流 | 65mA |
最大压摆率 | 370µA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425V |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
认证状态 | NotQualified |
最高工作温度 | 85°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 96 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA96,9X16,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRIDARRAY,THINPROFILE,FINEPITCH |
表面贴装 | YES |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 800µm |
端子位置 | BOTTOM |
座面最大高度 | 1.2mm |
长度 | 13mm |
宽度 | 9mm |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA,BGA96,9X16,32 |
针数 | 96 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.36 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
1843606 | PHOENIX | 160 | 1.928640 |
FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 33 | 145.505268 |
FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
J42FSC-02V-KX | JST | 7 | 3.616200 |