在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| W632GU6NB15I | WINBOND/华邦 | 0 | 198 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| W632GU6NB15I/TRAY | WINBOND/华邦 | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 96-VFBGA（7.5x13） |
| 存储容量 | 2Gb （128M x 16） |
| 存储器类型 | 易失 |
| 封装/外壳 | 96-VFBGA |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 20ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 95°C（TC） |
| 电压 - 电源 | 1.283V ~ 1.45V |
| 技术 | SDRAM - DDR3L |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 时钟频率 | 667MHz |
| 存储器格式 | DRAM |
| 封装 | VFBGA-96 |
| 类型 | SDRAM - DDR3L |
| 电源电压-最大 | 1.35 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | W632GU6NB |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 128 M x 16 |
| 访问时间 | 20 ns |
| 数据总线宽度 | 16 bit |
| 存储容量 | 2 GBit |
| 最大工作温度 | + 95 C |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 2.1475Gbit |
| Memory Width | 16 |
| Organization | 128MX16 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.35V |
| Access Mode | MULTIBANKPAGEBURST |
| Memory IC Type | DDR3LDRAM |
| Additional Feature | AUTO/SELFREFRESH |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 128000000 |
| Number of Words | 134.2177M |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 1.45V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.283V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 |
| Operating Temperature-Max | 95°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 96 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | VFBGA |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | BALL |
| Terminal Pitch | 800µm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Seated Height-Max | 1mm |
| Length | 13mm |
| Width | 7.5mm |
| Ihs Manufacturer | WINBONDELECTRONICSCORP |
| Package Description | VFBGA-96 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.36 |
| Samacsys Manufacturer | Winbond |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| 1843606 | PHOENIX | 256 | 1.928640 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
