在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| W968D6DAGX7I/TRAY | WINBOND/华邦 | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| W968D6DAGX7I | WINBOND/华邦 | 256M pSRAM x16, ADP, 133MHz, Ind temp | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | VFBGA-54 |
| 类型 | PSRAM (Psuedo SRAM) |
| 电源电压-最大 | 1.95 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大时钟频率 | 133 MHz |
| 系列 | W968D6DA |
| 电源电压-最小 | 1.7 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 16 M x 16 |
| 访问时间 | 70 ns |
| 数据总线宽度 | 16 bit |
| 电源电流—最大 | 40 mA |
| 存储容量 | 256 Mbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Tray |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 268.4355Mbit |
| Memory Width | 16 |
| Organization | 16MX16 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.8V |
| Power Supplies | 1.8V |
| Access Time-Max | 70ns |
| Memory IC Type | PSEUDOSTATICRAM |
| I/O Type | COMMON |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 16000000 |
| Number of Words | 16.7772M |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | 3-STATE |
| Output Enable | YES |
| Parallel/Serial | PARALLEL |
| Standby Current-Max | 400µA |
| Standby Voltage-Min | 1.7V |
| Supply Current-Max | 40µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 1.95V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.7V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B54 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 54 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | VFBGA |
| Package Equivalence Code | BGA54,6X9,30 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | BALL |
| Terminal Pitch | 750µm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Seated Height-Max | 1mm |
| Length | 8mm |
| Width | 6mm |
| Ihs Manufacturer | WINBONDELECTRONICSCORP |
| Package Description | VFBGA-54 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | 3A991.B.2.A |
| HTS Code | 8542.32.00.41 |
| Samacsys Manufacturer | Winbond |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 268.4355Mbit |
| 内存宽度 | 16 |
| 组织 | 16MX16 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8V |
| 电源 | 1.8V |
| 最长访问时间 | 70ns |
| 内存集成电路类型 | PSEUDOSTATICRAM |
| I/O 类型 | COMMON |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数代码 | 16000000 |
| 字数 | 16.7772M |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 最大待机电流 | 400µA |
| 最小待机电流 | 1.7V |
| 最大压摆率 | 40µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 54 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA54,6X9,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 750µm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 座面最大高度 | 1mm |
| 长度 | 8mm |
| 宽度 | 6mm |
| 包装说明 | VFBGA-54 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| HTS代码 | 8542.32.00.41 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| 1843606 | PHOENIX | 160 | 1.928640 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 43 | 145.505268 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| J42FSC-02V-KX | JST | 7 | 3.616200 |
