元器件分销作为原厂和终端客户中间重要的枢纽,2024一季度TOP10分销厂商业绩逐步得到改善,一定程度上折射当下半导体产业发展新变化。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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W978H6KBVX2E | WINBOND/华邦 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | 134-VFBGA(10x11.5) |
存储容量 | 256Mb (16M x 16) |
存储器类型 | 易失 |
封装/外壳 | 134-VFBGA |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
写周期时间 - 字,页 | 15ns |
存储器接口 | 并联 |
工作温度 | -25°C ~ 85°C(TC) |
电压 - 电源 | 1.14V ~ 1.95V |
技术 | SDRAM - 移动 LPDDR2 |
在线目录 | SDRAM Mobile LPDDR2 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 托盘 |
时钟频率 | 400MHz |
存储器格式 | DRAM |
封装 | VFBGA-134 |
类型 | SDRAM - LPDDR2 |
电源电压-最大 | 1.95 V |
安装风格 | SMD/SMT |
最大时钟频率 | 400 MHz |
系列 | W978H6KB |
电源电压-最小 | 1.7 V |
最小工作温度 | - 25 C |
组织 | 16 M x 16 |
数据总线宽度 | 16 bit |
电源电流—最大 | 22.5 mA |
存储容量 | 256 Mbit |
最大工作温度 | + 85 C |
包装 | Tray |
生命周期 | NotRecommended |
内存密度 | 268.4355Mbit |
内存宽度 | 16 |
组织 | 16MX16 |
标称供电电压 (Vsup) | 1.2V |
访问模式 | FOURBANKPAGEBURST |
内存集成电路类型 | LPDDR2DRAM |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
字数代码 | 16000000 |
字数 | 16.7772M |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.3V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.14V |
技术 | CMOS |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B134 |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 134 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
表面贴装 | YES |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | BOTTOM |
座面最大高度 | 1mm |
长度 | 11.5mm |
宽度 | 10mm |
包装说明 | VFBGA, |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.24 |
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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BR25H256F-2ACE2 | ROHM/罗姆 | 45000 | 6.122712 |
BR25H080FJ-2CE2 | ROHM/罗姆 | 40000 | 1.885332 |
M95M01-DFMN6TP | ST/意法 | 28750 | 4.695800 |
CX2016SA40000D0HSSCC | KYOCERA/京瓷 | 18000 | 1.666280 |
BR24T08FVT-WE2 | ROHM/罗姆 | 12000 | 0.546708 |
M93C56-RDW6TP | ST/意法 | 8000 | 1.250580 |
M95M01-DFMN6TP | ST/意法 | 5000 | 4.489206 |
BR25H256F-2ACE2 | ROHM/罗姆 | 1250 | 25.270400 |
55510-140LF | AMPHENOL/安费诺 | 1000 | 21.190186 |
BR24T08FVT-WE2 | ROHM/罗姆 | 50 | 2.554600 |