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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | TFBGA-54 |
| 类型 | SDRAM |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大时钟频率 | 166 MHz |
| 系列 | W9825G6JB |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 16 M x 16 |
| 数据总线宽度 | 16 bit |
| 电源电流—最大 | 60 mA |
| 存储容量 | 256 Mbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Tray |
| 生命周期 | NotRecommended |
| 内存密度 | 268.4355Mbit |
| 内存宽度 | 16 |
| 组织 | 16MX16 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
| 电源 | 3.3V |
| 最长访问时间 | 5ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 166MHz |
| 刷新周期 | 8192 |
| 访问模式 | FOURBANKPAGEBURST |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUSDRAM |
| 其他特性 | AUTO/SELFREFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数代码 | 16000000 |
| 字数 | 16.7772M |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 2mA |
| 最大压摆率 | 80µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B54 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 54 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRIDARRAY,THINPROFILE,FINEPITCH |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 800µm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 座面最大高度 | 1.2mm |
| 长度 | 8mm |
| 宽度 | 8mm |
| 包装说明 | TFBGA-54 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.24 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 针数 | 54 |
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5000 | 1.404480 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3000 | 0.815100 |
| DF50S-20DS-1C | HRS | 2800 | 0.620160 |
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| DF62B-3EP-2.2C | HRS | 900 | 1.403360 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 700 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 400 | 3.505600 |
| 1843606 | PHOENIX | 363 | 1.928640 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 100 | 0.954180 |