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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
W989D6DBGX6I TR WINBOND/华邦 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm 0 2000 中国内地:12-16工作日
中国香港:9-13工作日
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W989D6DBGX6I WINBOND/华邦 0 2000 中国内地:12-16工作日
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W989D6DBGX6I/TRAY WINBOND/华邦 0 1 中国内地:14-17工作日
中国香港:12-15工作日
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规格参数
供应商器件封装 54-VFBGA(8x9)
存储容量 512Mb (32M x 16)
存储器类型 易失
封装/外壳 54-TFBGA
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
零件状态 有源
写周期时间 - 字,页 15ns
存储器接口 并联
访问时间 5ns
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
电压 - 电源 1.7V ~ 1.95V
技术 SDRAM - 移动 LPSDR
安装类型 表面贴装型
包装 托盘
时钟频率 166MHz
存储器格式 DRAM
封装 VFBGA-54
类型 SDRAM Mobile - LPSDR
电源电压-最大 1.95 V
安装风格 SMD/SMT
最大时钟频率 166 MHz
系列 W989D6DB
电源电压-最小 1.7 V
最小工作温度 - 40 C
组织 32 M x 16
数据总线宽度 16 bit
电源电流—最大 38 mA
存储容量 512 Mbit
最大工作温度 + 85 C
包装 Tray
生命周期 Active
内存密度 536.8709Mbit
内存宽度 16
组织 32MX16
标称供电电压 (Vsup) 1.8V
最长访问时间 5ns
访问模式 FOURBANKPAGEBURST
内存集成电路类型 SYNCHRONOUSDRAM
其他特性 AUTO/SELFREFRESH
功能数量 1
端口数量 1
字数代码 32000000
字数 33.5544M
工作模式 SYNCHRONOUS
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 1.95V
最小供电电压 (Vsup) 1.7V
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
JESD-30 代码 R-PBGA-B54
最高工作温度 85°C
最低工作温度 -40°C
峰值回流温度(摄氏度) NOTSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOTSPECIFIED
端子数量 54
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRIDARRAY,THINPROFILE,FINEPITCH
表面贴装 YES
端子形式 BALL
端子节距 800µm
端子位置 BOTTOM
座面最大高度 1.025mm
长度 9mm
宽度 8mm
包装说明 VFBGA-54
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.28
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