在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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WRF2405P-3WR2 | MORNSUN/金升阳 | 电源模块WRF2405P-3WR2 | 0 | 1 管 | 中国内地:1-2工作日 中国香港:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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输出电压 | 5V |
最大输入电压 | 36V |
标称输入电压 | 24V |
标称输出电压 | 5V |
最小输入电压 | 18V |
最小输出电压 | 4.85V |
最大输出电压 | 5.15V |
最大输出电流 | 600mA |
输出次数 | 1 |
表面贴装 | NO |
微调/可调输出 | NO |
最大切换频率 | 200kHz |
模拟集成电路 - 其他类型 | DC-DCREGULATEDPOWERSUPPLYMODULE |
控制模式 | VOLTAGE-MODE |
效率(主输出) | 81% |
最大电网调整率 | 0.5% |
最大负载调整率 | 0.5% |
功能数量 | 1 |
保护 | OUTPUTSHORTCIRCUIT |
纹波电压(主输出) | 0.02828Vrms |
技术 | HYBRID |
温度等级 | INDUSTRIAL |
最大总功率输出 | 3W |
JESD-30 代码 | R-PDMA-P10 |
认证状态 | NotQualified |
认证 | CE,EN,UL |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 10 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DMA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONICASSEMBLY |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 20.3mm |
长度 | 31.6mm |
座面最大高度 | 10.7mm |
高度 | 10.7mm |
包装说明 | DIP,DIP10/24,.6 |
ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 75000 | 0.529360 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 65933 | 0.592800 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.339480 |
TL494G-S16-R | UTC | 22480 | 0.644160 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 2802 | 0.504530 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2356 | 0.417040 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |