在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| X28HC256PIZ-15 | RENESAS/瑞萨 | EEPROM Parallel 256K-bit 32K x 8 5V 28-Pin PDIP Tube | 0 | 312 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 系列 | X28HC256 |
| 接口类型 | Parallel |
| 封装 | PDIP-28 |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 32 k x 8 |
| 访问时间 | 150 ns |
| 存储容量 | 256 kbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 数据保留 | 100 Year |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 262.144kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 32KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 最长访问时间 | 150ns |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 32000 |
| 字数 | 32.768k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 5V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5ms |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 28 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 6.35mm |
| 长度 | 37.4mm |
| 宽度 | 15.24mm |
| 零件包装代码 | PDIP |
| 包装说明 | DIP-28 |
| 针数 | 28 |
| 制造商包装代码 | E28.6 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5200 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3000 | 0.815100 |
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.505600 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 500 | 0.954180 |
| 1843606 | PHOENIX | 250 | 1.928640 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |