在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| X3C09F1-20S | TTM/天利电子 | 0 | 100 | 中国内地:12-16工作日 中国香港:9-13工作日 |
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| X3C09F1-20S | ANAREN/安伦 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 耦合器类型 | 标准 |
| 频率 | 700MHz ~ 1GHz |
| 封装/外壳 | 4-SMD,无引线 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 2(1 年) |
| 零件状态 | 有源 |
| 插入损耗 | 0.075dB |
| 应用 | 通用 |
| 系列 | Xinger III® |
| 功率 - 最大值 | 25W |
| 在线目录 | X3C09F1-20S |
| 包装 | 带卷(TR) |
| 耦合系数 | 20dB |
| 包装 | 剪切带(CT) |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 特性阻抗 | 50Ω |
| 最大输入功率 (CW) | 43.98dBm |
| 最大插入损耗 | 0.075dB |
| 最大电压驻波比 | 1.22 |
| 最大工作频率 | 1GHz |
| 射频/微波设备类型 | DIRECTIONALCOUPLER |
| 最小工作频率 | 700MHz |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 140°C |
| 最低工作温度 | -55°C |
| 构造 | COMPONENT |
| 端子面层 | Tin(Sn) |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| HCTF12001 | AMPHENOL | 5718 | 1.470000 |
| AC-CP000382 | AMPHENOL | 3056 | 0.232044 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 194 | 1.369625 |
| KC2-19+ | MINI-CIRCUITS | 71 | 52.814160 |
| EP2W1+ | MINI-CIRCUITS | 13 | 217.742280 |
| TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
| KC2-36+ | MINI-CIRCUITS | 6 | 71.777552 |
| KAT-9+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 75.176584 |
| RCAT-10+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 75.256160 |
| SCN-3-16+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 38.561040 |