在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| X9258US24IZT1 | INTERSIL/英特矽尔 | 0 | 1000 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| ITSX9258US24IZT1 | INTERSIL/英特矽尔 | 0 | 1000 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| X9258US24IZ-2.7T1 | INTERSIL | IIC XDCP 100K QD 256 TAPS 24LD | 0 | 0 | 中国内地：现货 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| Number of Positions | 256 |
| Surface Mount | YES |
| Total Resistance-Nom | 50kΩ |
| Control Interface | 2-WIRESERIAL |
| Resistance Law | LINEAR |
| Converter Type | DIGITALPOTENTIOMETER |
| Number of Functions | 4 |
| Resistance Tolerance-Max | 20% |
| Resistor Terminal Voltage-Max | 5.5V |
| Resistor Terminal Voltage-Min | -5.5V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Coefficient-Nom | 300ppm/°C |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G24 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 5 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 24 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | MatteTin(Sn)-annealed |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Width | 7.5mm |
| Seated Height-Max | 2.65mm |
| Length | 15.4mm |
| Source Content uid | X9258US24IZ |
| Ihs Manufacturer | RENESASELECTRONICSCORP |
| Part Package Code | SOICW |
| Package Description | SOP, |
| Pin Count | 24 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Manufacturer Package Code | M24.3 |
| ECCN Code | EAR99 |
| Samacsys Manufacturer | RenesasElectronics |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 5V |
| 位置数 | 256 |
| 表面贴装 | YES |
| 标称总电阻 | 50kΩ |
| 控制接口 | 2-WIRESERIAL |
| 电阻定律 | LINEAR |
| 转换器类型 | DIGITALPOTENTIOMETER |
| 功能数量 | 4 |
| 最大电阻容差 | 20% |
| 最大电阻器端电压 | 5.5V |
| 最小电阻器端电压 | -5.5V |
| 技术 | CMOS |
| 标称温度系数 | 300ppm/°C |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G24 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 5 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 24 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.5mm |
| 座面最大高度 | 2.65mm |
| 长度 | 15.4mm |
| 零件包装代码 | SOICW |
| 包装说明 | SOP, |
| 针数 | 24 |
| 制造商包装代码 | M24.3 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74LVC1G3157GV,125 | NEXPERIA | 1812 | 0.624750 |
| 74HCT4051PW,118 | NEXPERIA | 549 | 1.398250 |
| MCP4716A0T-E/CH | MICROCHIP | 93 | 5.785920 |
| MAX5402EUA+T | MAXIM | 45 | 29.035440 |
| STMPS2141STR | STMICROELECTRONICS | 39 | 8.725920 |
| MCP4822-E/SN | MICROCHIP | 20 | 34.073520 |
| 74HC4053BQ,115 | NEXPERIA | 19 | 1.129509 |
| AS179-92LF | SKYWORKS | 11 | 2.049180 |
| MCP4725A0T-E/CH | MICROCHIP | 1 | 8.643600 |
| MAX5137GUE+ | MAXIM | 1 | 32.692800 |
