在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| X9315UMIZ | RENESAS/瑞萨 | 0 | 960 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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| X9315UMIZ-2.7 | RENESAS/瑞萨 | 0 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 标称供电电压 | 5V |
| 位置数 | 32 |
| 表面贴装 | YES |
| 标称总电阻 | 50kΩ |
| 控制接口 | INCREMENT/DECREMENT |
| 电阻定律 | LINEAR |
| 转换器类型 | DIGITALPOTENTIOMETER |
| 其他特性 | NONVOLATILEMEMORY |
| 功能数量 | 1 |
| 最大电阻容差 | 20% |
| 最大电阻器端电压 | 5V |
| 技术 | CMOS |
| 标称温度系数 | 300ppm/°C |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装形状 | SQUARE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 650µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 3mm |
| 座面最大高度 | 1.1mm |
| 长度 | 3mm |
| 零件包装代码 | MSOP |
| 包装说明 | TSSOP, |
| 针数 | 8 |
| 制造商包装代码 | M8.118 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| M54123LG-S08-R | UTC | 19840 | 0.451410 |
| SY8113IADC | SILERGY | 15821 | 0.607620 |
| DG411DY-T1-E3 | VISHAY | 2237 | 6.034011 |
| 74LVC1G3157GV,125 | NEXPERIA | 1812 | 0.624750 |
| 74HCT4051PW,118 | NEXPERIA | 549 | 1.398250 |
| MAX1037EKA+T | MAXIM | 33 | 11.469920 |
| ACPL-344JT-000E | BROADCOM | 10 | 72.873520 |
| MAX4714EXT+T | MAXIM | 8 | 11.737460 |
| MAX5137GUE+ | MAXIM | 1 | 32.692800 |
| ZXCT1110W5-7 | DIODES INCORPORATED | 1 | 5.014956 |