在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| X9C103PIZ | RENESAS/瑞萨 | IC 10K EEPOTTM POT CMOS PLASTIC IND | 0 | 0 | 中国内地：8-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| Resistance | 10kΩ |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| 封装类型 | PDIP-8 |
| Temp Coefficient (ppm/C) | ±300ppm/°C |
| Interface | 3-Wire |
| No of Channels | 1 |
| Supply Voltage | 4.5V to 5.5V |
| Supply Current | 3mA |
| No of Positions | 100 |
| Wiper Storage | Non-Volatile |
| Wiper Resistance | 100Ω |
| Tolerance | ±20% |
| 工作电源电流 | 3 mA |
| 工作电源电压 | 5 V |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 温度系数(材质) | 300 PPM / C |
| 阻值 | 10 kOhms |
| 每 POT 分接头 | 100 |
| 锥度 | Linear |
| 弧刷存储器 | Non Volatile |
| 数字接口 | 3-Wire |
| 容差 | 20 % |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| Number of Positions | 100 |
| Surface Mount | NO |
| Total Resistance-Nom | 10kΩ |
| Control Interface | INCREMENT/DECREMENT |
| Resistance Law | LINEAR |
| Converter Type | DIGITALPOTENTIOMETER |
| Number of Functions | 1 |
| Resistance Tolerance-Max | 20% |
| Resistor Terminal Voltage-Max | 5V |
| Resistor Terminal Voltage-Min | -5V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T8 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Width | 7.62mm |
| Seated Height-Max | 5.334mm |
| Length | 9.525mm |
| Source Content uid | X9C103PIZ |
| Ihs Manufacturer | RENESASELECTRONICSCORP |
| Part Package Code | PDIP |
| Package Description | DIP, |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | RenesasElectronics |
| Manufacturer Package Code | MDP0031 |
| ECCN Code | EAR99 |
| 变化类型 | 线性 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74LVC1G3157GV,125 | NEXPERIA | 1812 | 0.624750 |
| 74HCT4051PW,118 | NEXPERIA | 549 | 1.398250 |
| MCP4716A0T-E/CH | MICROCHIP | 93 | 5.785920 |
| MAX5402EUA+T | MAXIM | 45 | 29.035440 |
| ISL54405IRUZ-T | RENESAS | 45 | 11.617760 |
| STMPS2141STR | STMICROELECTRONICS | 39 | 8.725920 |
| MCP4822-E/SN | MICROCHIP | 20 | 34.073520 |
| 74HC4053BQ,115 | NEXPERIA | 19 | 1.129509 |
| MCP4725A0T-E/CH | MICROCHIP | 1 | 8.643600 |
| MAX5137GUE+ | MAXIM | 1 | 32.692800 |
