在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| X9C104SIZT1 | RENESAS/瑞萨 | 0 | 2500 盘 | 中国内地:1-2工作日 |
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| X9C104SIZT1 | INTERSIL/英特矽尔 | 0 | 2500 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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| X9C104SIZT1 | INTERSIL | 0 | 2500 | 中国内地:14-18工作日 中国香港:12-16工作日 |
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| 规格参数 | |
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| 规格参数正在更新中... |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74LVC1G3157GV,125 | NEXPERIA | 1812 | 0.624750 |
| 74HCT4051PW,118 | NEXPERIA | 549 | 1.398250 |
| MCP4716A0T-E/CH | MICROCHIP | 93 | 5.785920 |
| ISL90727WIE627Z-TK | RENESAS | 80 | 8.713320 |
| MAX5402EUA+T | MAXIM | 45 | 29.035440 |
| ISL54405IRUZ-T | RENESAS | 45 | 11.617760 |
| STMPS2141STR | STMICROELECTRONICS | 39 | 8.725920 |
| MCP4822-E/SN | MICROCHIP | 20 | 34.073520 |
| 74HC4053BQ,115 | NEXPERIA | 19 | 1.129509 |
| MCP4725A0T-E/CH | MICROCHIP | 1 | 8.643600 |