在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 主要属性 | Zynq®UltraScale+™ FPGA，103K+ 逻辑单元 |
| 连接性 | CANbus，I²C，SPI，UART/USART，USB |
| 外设 | DMA，WDT |
| 供应商器件封装 | 625-FCBGA（21x21） |
| 速度 | 500MHz, 1.2GHz |
| 架构 | MPU, FPGA |
| RAM 容量 | 1，2MB |
| I/O 数 | 128 |
| 封装/外壳 | 625-BFBGA，FCBGA |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 4（72 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C （TJ） |
| 系列 | Zynq® UltraScale+™ MPSoC EG |
| 核心处理器 | 带 CoreSight™ 的四核 ARM® Cortex®-A53 MPCore™，带 CoreSight™ 的双核 ARM®Cortex™-R5，ARM Mali™-400 MP2 |
| 包装 | 托盘 |
| 生命周期 | Active |
| 表面贴装 | YES |
| 标称供电电压 | 850mV |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROPROCESSORCIRCUIT |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B625 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 625 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRIDARRAY,FINEPITCH |
| 端子面层 | TINSILVERCOPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 800µm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 座面最大高度 | 3.43mm |
| 宽度 | 21mm |
| 长度 | 21mm |
| 包装说明 | FCBGA-625 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| ECCN代码 | 5A002.A.4 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
| VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
| SZ1SMB24AT3G | LITTELFUSE | 7 | 2.410800 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
