在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| XB5352G | XYSEMI/赛芯微 | 0 | 3000 | 中国内地:4-7工作日 |
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| 规格参数 | |
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在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 27151 | 0.335790 |
| TL494G-S16-R | UTC | 26044 | 0.666120 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 2754 | 0.543500 |
| L78L05ABD13TR | ST | 1153 | 0.381300 |
| ICL7662CBA+T | MAXIM | 156 | 7.573440 |
| TBU-CA065-500-WH | BOURNS | 48 | 9.984380 |
| MAX604CPA+ | MAXIM | 20 | 27.048000 |
| AP2112K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 14 | 0.563500 |
| ITS41K0SMENHUMA1 | INFINEON | 13 | 5.665380 |
| LM217LD13TR | STMICROELECTRONICS | 10 | 3.701193 |