在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| XC17V02PC20I | XILINX/赛灵思 | Configuration Memory, 2MX1, Serial, CMOS, PQCC20 | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 20-PLCC（9x9） |
| 存储容量 | 2Mb |
| 可编程类型 | OTP |
| 封装/外壳 | 20-LCC（J 形引线） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | XC17V02 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 3V ~ 3.6V |
| 包装 | 管件 |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Memory Density | 2.0972Mbit |
| Memory Width | 1 |
| Organization | 2MX1 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3V |
| Power Supplies | 3.3V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 15MHz |
| Memory IC Type | CONFIGURATIONMEMORY |
| I/O Type | COMMON |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 2000000 |
| Number of Words | 2.0972M |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | 3-STATE |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Standby Current-Max | 1mA |
| Supply Current-Max | 15µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 3V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | S-PQCC-J20 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 225 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 20 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | QCCJ |
| Package Equivalence Code | LDCC20,.4SQ |
| Package Shape | SQUARE |
| Package Style | CHIPCARRIER |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Tin/Lead(Sn85Pb15) |
| Terminal Form | JBEND |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | QUAD |
| Seated Height-Max | 4.572mm |
| Length | 8.9662mm |
| Width | 8.9662mm |
| Ihs Manufacturer | XILINXINC |
| Part Package Code | QLCC |
| Package Description | QCCJ,LDCC20,.4SQ |
| Pin Count | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 内存密度 | 2.0972Mbit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 2MX1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
| 电源 | 3.3V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 15MHz |
| 内存集成电路类型 | CONFIGURATIONMEMORY |
| I/O 类型 | COMMON |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 2000000 |
| 字数 | 2.0972M |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 最大待机电流 | 1mA |
| 最大压摆率 | 15µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J20 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 20 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC20,.4SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIPCARRIER |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead(Sn85Pb15) |
| 端子形式 | JBEND |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 座面最大高度 | 4.572mm |
| 长度 | 8.9662mm |
| 宽度 | 8.9662mm |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | QCCJ,LDCC20,.4SQ |
| 针数 | 20 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
