在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| XC2100A-03S | ANAREN/安伦 | 10 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 耦合器类型 | 标准 |
| 隔离 | 25dB |
| 频率 | 2GHz ~ 2.3GHz |
| 封装/外壳 | 4-SMD，无引线 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 插入损耗 | 0.15dB |
| 应用 | 通用 |
| 系列 | Xinger II® |
| 功率 - 最大值 | 145W |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 生命周期 | Transferred |
| 特性阻抗 | 50Ω |
| 最大输入功率 (CW) | 51.61dBm |
| 最大插入损耗 | 0.15dB |
| 最大电压驻波比 | 1.15 |
| 最大工作频率 | 2.3GHz |
| 射频/微波设备类型 | 90DEGREEHYBRIDCOUPLER |
| 其他特性 | HIGHISOLATION |
| 最小工作频率 | 2GHz |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 95°C |
| 最低工作温度 | -55°C |
| 构造 | COMPONENT |
| 端子面层 | Tin(Sn) |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.477108 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 8355 | 1.369625 |
| HCTF12001 | AMPHENOL | 7451 | 1.470000 |
| AC-CP000382 | AMPHENOL | 287 | 0.232044 |
| ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
| ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
| TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
| TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
| KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |
| ADE-2+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 45.864000 |
