在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| XC2V1000-4FGG456C | XILINX/赛灵思 | 0 | 30 | 中国内地:4-7工作日 中国香港:3-5工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 456-FPBGA(23x23) |
| LAB/CLB 数 | 1280 |
| 总 RAM 位数 | 737280 |
| 栅极数 | 1000000 |
| 封装/外壳 | 456-BBGA |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | XC2V1000 |
| I/O 数 | 324 |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C(TJ) |
| 电压 - 电源 | 1.425V ~ 1.575V |
| 系列 | Virtex®-II |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| HCTF12001 | AMPHENOL | 5718 | 1.470000 |
| HCTM12001 | AMPHENOL | 2230 | 0.964320 |
| SYM-25DMHW+ | MINI-CIRCUITS | 619 | 86.396800 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 194 | 1.369625 |
| TC1-1T+ | MINI-CIRCUITS | 81 | 9.782360 |
| SIM-43MH+ | MINI-CIRCUITS | 12 | 80.212608 |
| ZM5101A-CME3R | SILICON LABS | 5 | 47.628000 |
| SYM-20DHW+ | MINI-CIRCUITS | 4 | 158.351928 |
| RCAT-10+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 75.256160 |
| SCN-3-16+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 38.561040 |