在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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XC3S200A-4VQG100C | XILINX/赛灵思 | TQFP-100_14x14x05P | 0 | 450 | 中国内地:4-7工作日 中国香港:3-5工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | 100-VQFP(14x14) |
LAB/CLB 数 | 448 |
总 RAM 位数 | 294912 |
栅极数 | 200000 |
封装/外壳 | 100-TQFP |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | XC3S200A |
I/O 数 | 68 |
工作温度 | 0°C ~ 85°C(TJ) |
电压 - 电源 | 1.14V ~ 1.26V |
逻辑元件/单元数 | 4032 |
系列 | Spartan®-3A |
在线目录 | Spartan®-3A |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装 | VQFP-100 |
产品 | Spartan-3A |
工作电源电压 | 1 |
最小工作温度 | 0 |
最大工作温度 | + |
Part Life Cycle Code | Active |
Supply Voltage-Nom | 1.2V |
Number of Inputs | 68 |
Number of Outputs | 62 |
Number of Logic Cells | 4032 |
Number of Equivalent Gates | 200000 |
Number of CLBs | 448 |
Combinatorial Delay of a CLB-Max | 710ps |
Programmable Logic Type | FIELDPROGRAMMABLEGATEARRAY |
Temperature Grade | OTHER |
Package Shape | SQUARE |
Technology | CMOS |
Organization | 448CLBS,200000GATES |
Clock Frequency-Max | 667MHz |
Power Supplies | 1.2,1.2/3.3,3.3V |
Supply Voltage-Max | 1.26V |
Supply Voltage-Min | 1.14V |
JESD-30 Code | S-PQFP-G100 |
Qualification Status | NotQualified |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 3 |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Terminals | 100 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TFQFP |
Package Equivalence Code | TQFP100,.63SQ |
Package Style | FLATPACK,THINPROFILE,FINEPITCH |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTETIN |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 500µm |
Terminal Position | QUAD |
Width | 14mm |
Length | 14mm |
Seated Height-Max | 1.2mm |
Ihs Manufacturer | XILINXINC |
Reach Compliance Code | compliant |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Package Description | VQFP-100 |
Samacsys Manufacturer | XILINX |
Part Package Code | QFP |
Pin Count | 100 |
ECCN Code | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74AHCT541PW | NEXPERIA | 38035 | 0.925980 |
74HC14D | NEXPERIA | 36890 | 0.402210 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 23866 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC4050D | NEXPERIA | 1448 | 1.314520 |
74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |