在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| 零件状态 | 有源 |
| 系列 | * |
| 最大输入电压 | 6V |
| 最小输入电压 | 1.8V |
| 标称输出电压 1 | 1.2V |
| 标称回动电压 1 | 700mV |
| 最大输出电流 1 | 60mA |
| 表面贴装 | YES |
| 最大回动电压 1 | 960mV |
| 功能数量 | 1 |
| 最大输出电压 1 | 1.23V |
| 最小输出电压 1 | 1.17V |
| 技术 | CMOS |
| 最大电压容差 | 2.5% |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSOF |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.5mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| 宽度 | 2.5mm |
| 长度 | 4.5mm |
| 座面最大高度 | 1.6mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 特征 | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
| 零件包装代码 | SOT-89 |
| 针数 | 3 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 汽车质量标准 | - |
| 输出电流 | 60mA |
| 输出电压最大值 | -V |
| 可调输出电压, 最高 | - |
| 可调输出电压, 最低 | - |
| IC 外壳 / 封装 | SOT-89 |
| LDO调节器封装类型 | SOT-89 |
| 压降 | 700mV |
| 输出电压最小值 | -V |
| 固定输出电压标称值 | 1.2V |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 27151 | 0.335790 |
| TL494G-S16-R | UTC | 26044 | 0.666120 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5569 | 1.732759 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 3000 | 1.624750 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 2754 | 0.543500 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1017 | 0.631800 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 829 | 0.471625 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 396 | 0.588000 |