在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| XC6215B1027R-G | TOREX/特瑞仕 | 低压差稳压器 | 0 | 1 卷 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 系列 | * |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Input Voltage-Max | 6V |
| Input Voltage-Min | 1.5V |
| Output Voltage1-Nom | 1V |
| Dropout Voltage1-Nom | 860mV |
| Output Current1-Max | 60mA |
| Number of Outputs | 1 |
| Surface Mount | YES |
| Adjustability | FIXED |
| Dropout Voltage1-Max | 1V |
| Input Voltage Absolute-Max | 7V |
| Line Regulation-Max | 0.00675% |
| Load Regulation-Max | 0.07% |
| Number of Functions | 1 |
| Output Voltage1-Max | 1.03V |
| Output Voltage1-Min | 970mV |
| Technology | CMOS |
| Voltage Tolerance-Max | 3% |
| JESD-30 Code | R-PDSO-N4 |
| JESD-609 Code | e4 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
| Number of Terminals | 4 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | VSON |
| Package Equivalence Code | SOLCC4,.03,22 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE,VERYTHINPROFILE |
| Packing Method | TR |
| Terminal Finish | NICKELGOLD |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 550µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Width | 900µm |
| Length | 1.2mm |
| Seated Height-Max | 400µm |
| Ihs Manufacturer | TOREXSEMICONDUCTORLTD |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Feature | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 27151 | 0.335790 |
| TL494G-S16-R | UTC | 26044 | 0.666120 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5569 | 1.732759 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 3000 | 1.624750 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 2754 | 0.543500 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1017 | 0.631800 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 829 | 0.471625 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 396 | 0.588000 |
