在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| XC6219B332MR | JSMICRO/杰盛微 | 300000 | 3000 | 中国内地:3-5工作日 |
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| XC6219B332MR | NK/南科功率 | 30000 | 3000 盘 | 中国内地:4-7工作日 |
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| XC6219B332MR-MS | MSKSEMI/美森科 | 30000 | 3000 | 中国内地:4-9工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| 标称输出电压 1 | 3.3V |
| 标称回动电压 1 | 200mV |
| 最大输出电流 1 | 100mA |
| 输出次数 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 可调性 | FIXED |
| 最大绝对输入电压 | 7V |
| 最大电网调整率 | 0.01782% |
| 最大负载调整率 | 0.05% |
| 技术 | CMOS |
| 最大电压容差 | 2% |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G5 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 端子数量 | 5 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP |
| 封装等效代码 | TSOP5/6,.11,37 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE,THINPROFILE |
| 包装方法 | TR |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 950µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 包装说明 | TSOP,TSOP5/6,.11,37 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 27151 | 0.335790 |
| TL494G-S16-R | UTC | 26044 | 0.666120 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5569 | 1.732759 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2850 | 1.624750 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 2754 | 0.543500 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1017 | 0.631800 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 829 | 0.471625 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 396 | 0.588000 |